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标题: 求教!DE0开发板的SDRAM和FLASH在NIOSII中的设置 [打印本页]

作者: hawkddg51    时间: 2010-8-2 20:38
标题: 求教!DE0开发板的SDRAM和FLASH在NIOSII中的设置
在NIOSII中设置SDRAM时,第二个选项卡Timing中的各项根据A3V64S40ETP芯片因该怎么设置呀?
我只查到第一项CAS latency cycle 根据数据手册是可编程设置为2或3,其余几项为:
Initialization refresh cycle:
Issue one refresh command every:
Delay after powerup,before initialization:
Duration of refresh command(t_rtc):
Duration of precharge command(t_rcd):
Access time(t_ac):
Write recovery time(t_wr,no auto precharge):
这几项的数值怎么设定呀,请大家多多指教,多谢1

SDRAM.JPG (55.2 KB, 下载次数: 482)

SDRAM.JPG

FLASH.JPG (49.7 KB, 下载次数: 458)

FLASH.JPG

作者: wzl900813    时间: 2010-8-7 15:12
我们马上也就要做到这里来了,LZ知道怎么设置之后记得同样也发一份帖子啊!
作者: fengyechenjun    时间: 2010-8-10 22:47
知道了的大侠,发出来大家参考参考呀!
作者: dysyase    时间: 2010-12-12 15:07
查過~CD中的DATASHEET~
latency cycle可以支援到3
initializaiton refresh cycles 應該要用8
其餘沒有改動~如有錯誤可以去察看看多少比較好~
作者: pplin2002    时间: 2011-1-11 14:55
查datasheet,




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